Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH240N15X4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH240N15X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 240 A, 4400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH240N15X4 за ціною від 728.87 грн до 1130.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH240N15X4 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH240N15X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 240 A, 4400 µohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 940W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTH240N15X4 | Виробник : Littelfuse |
X4-Class Power MOSFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTH240N15X4 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 940W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXTH240N15X4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 240A Power dissipation: 940W Case: TO247-3 On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
товару немає в наявності |




