.jpg "IXTH24P20")
IXTH24P20 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 766.65 грн |
| 30+ | 589.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH24P20 IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 24A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH24P20 за ціною від 395.65 грн до 814.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH24P20 | Виробник : IXYS |
MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH24P20 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH24P20 | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO247-3; 250ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -24A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH24P20 | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO247-3; 250ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -24A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |