Продукція > IXYS > IXTH26N60P

IXTH26N60P IXYS

Name: IXTH26N60P
Brand: IXYS
SKU: 139126-4
Price: 799.06 UAH
Availability: InStock

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTH26N60P_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	799.06 грн
10+	435.47 грн
120+	347.97 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTH26N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH26N60P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTH26N60P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTH26N60P	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTH26N60P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3; 500ns Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: standard power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 72nC On-state resistance: 0.27Ω Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.