Продукція > IXYS > IXTH26P20P
IXTH26P20P

IXTH26P20P IXYS

IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.45 грн
30+300.61 грн
120+256.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH26P20P IXYS

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH26P20P за ціною від 249.66 грн до 538.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH26P20P IXTH26P20P Виробник : IXYS media-3319716.pdf MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.12 грн
10+422.66 грн
30+282.60 грн
120+249.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P Виробник : Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P Виробник : Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P Виробник : IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH26P20P IXTH26P20P Виробник : IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.