Продукція > IXYS > IXTH270N04T4

IXTH270N04T4 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXTH270N04T4 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.00 грн
5+268.65 грн
12+253.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH270N04T4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 40V 270A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH270N04T4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_270n04t4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 270A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 Виробник : IXYS media-3320195.pdf MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.