.jpg "IXTH2N150L")
IXTH2N150L IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 960.5 грн |
| 10+ | 849.95 грн |
| 100+ | 717.89 грн |
| 500+ | 599.31 грн |
| 1000+ | 549.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH2N150L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 2A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 1A, 20V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH2N150L за ціною від 692.98 грн до 1015.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH2N150L | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH LINEAR STD |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH2N150L | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTH2N150L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 290W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 1.86µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTH2N150L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2A; 290W; TO247-3; 1.86us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 290W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 1.86µs |
товар відсутній |