на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 764.86 грн |
| 10+ | 681 грн |
| 30+ | 564.8 грн |
| 120+ | 490.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH2R4N120P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Case: TO247-3, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Gate charge: 37nC, Technology: Polar™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 6A, Mounting: THT, Reverse recovery time: 920ns, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTH2R4N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH2R4N120P") |
IXTH2R4N120P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247 |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IXTH2R4N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|
 |
IXTH2R4N120P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W Case: TO247-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 37nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 6A Mounting: THT Reverse recovery time: 920ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 2.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IXTH2R4N120P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W Case: TO247-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 37nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 6A Mounting: THT Reverse recovery time: 920ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 2.4A |
товар відсутній |