Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTH30N50L2
IXTH30N50L2

IXTH30N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2142.50 грн
5+2023.10 грн
10+1903.69 грн
50+1656.05 грн
100+1426.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH30N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTH30N50L2 за ціною від 1375.07 грн до 2246.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2185.21 грн
30+1375.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N50_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2246.70 грн
10+2117.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2 IXTH30N50L2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.