IXTH30N60L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1486.04 грн |
| 30+ | 899.96 грн |
| 120+ | 810.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH30N60L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH30N60L2 за ціною від 945.49 грн до 1596.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH30N60L2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 30 Amps 600V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTH30N60L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTH30N60L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTH30N60L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: linear power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Reverse recovery time: 710ns Gate charge: 335nC On-state resistance: 0.24Ω Power dissipation: 540W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |