Продукція > IXYS > IXTH30N60P
IXTH30N60P

IXTH30N60P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+704.57 грн
3+607.85 грн
10+505.62 грн
30+469.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH30N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH30N60P за ціною від 389.15 грн до 857.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH30N60P IXTH30N60P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n60p-datasheet?assetguid=d66c982f-8d20-456b-b7b1-9481824597ab Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+792.91 грн
30+431.47 грн
120+389.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+845.48 грн
3+757.47 грн
10+606.75 грн
30+563.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.81 грн
10+488.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.