IXTH30N60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 627.6 грн |
| 2+ | 420.74 грн |
| 6+ | 397.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH30N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH30N60P за ціною від 375.87 грн до 754.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH30N60P") |
IXTH30N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTH30N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 82nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH30N60P | Виробник : IXYS |
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH30N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH30N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |