Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTH32P20T
IXTH32P20T

IXTH32P20T Littelfuse Inc.

media?resourcetype=datasheets&itemid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+406.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH32P20T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH32P20T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH32P20T IXTH32P20T Виробник : IXYS media-3320433.pdf MOSFET TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.