.jpg "IXTH34N65X2")
IXTH34N65X2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 476.16 грн |
| 30+ | 366.03 грн |
| 120+ | 327.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH34N65X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 34, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 540, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH34N65X2 за ціною від 304.33 грн до 517.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH34N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTH34N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTH34N65X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 34 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 540 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 540 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTH34N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns |
товар відсутній |