IXTH34N65X2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 688.10 грн |
| 30+ | 389.99 грн |
| 60+ | 357.53 грн |
| 120+ | 309.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH34N65X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 34, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 540, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH34N65X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH34N65X2 | IXYS |
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)