Продукція > IXYS > IXTH360N055T2

IXTH360N055T2 IXYS

Name: IXTH360N055T2
Brand: IXYS
SKU: 141932-4
Price: 984.33 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
MOSFETs 360Amps 55V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	984.33 грн
10+	832.77 грн
30+	723.40 грн
120+	602.32 грн
270+	568.27 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTH360N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 935W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH360N055T2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTH360N055T2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 55V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTH360N055T2	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTH360N055T2	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 360A Power dissipation: 935W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 78ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.