
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 513.60 грн |
10+ | 400.28 грн |
30+ | 303.14 грн |
120+ | 279.52 грн |
270+ | 262.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH3N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH3N100P за ціною від 295.14 грн до 495.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH3N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXTH3N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXTH3N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |