Продукція > IXYS > IXTH3N100P
IXTH3N100P

IXTH3N100P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.97 грн
10+330.91 грн
30+258.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH3N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH3N100P за ціною від 264.09 грн до 539.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH3N100P IXTH3N100P Виробник : IXYS media-3323607.pdf MOSFETs 3 Amps 1000V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.19 грн
10+402.30 грн
30+304.66 грн
120+280.93 грн
270+264.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTH3N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28651E56919B820&compId=IXTA(H%2CP)3N100P.pdf?ci_sign=0b0e6af9cebb48da08e75d4a7da1ab33e554d73b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.96 грн
10+412.37 грн
30+310.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTH3N100P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100P IXTH3N100P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.