на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 625.57 грн |
| 25+ | 598.69 грн |
| 50+ | 575.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH3N120 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH3N120 за ціною від 352.77 грн до 741.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTH3N120 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH3N120 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTH3N120 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTH3N120 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 700ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet |
товару немає в наявності |