Продукція > IXYS > IXTH3N120
IXTH3N120

IXTH3N120 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+431.87 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH3N120 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH3N120 за ціною від 391.82 грн до 737.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH3N120 IXTH3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+615.25 грн
25+588.81 грн
50+566.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120 IXTH3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+615.25 грн
25+588.81 грн
50+566.38 грн
100+527.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120 IXTH3N120 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTH3N120-Datasheet.PDF MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.76 грн
10+551.50 грн
120+391.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120 IXTH3N120 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120 IXTH3N120 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120 IXTH3N120 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.