Продукція > IXYS > IXTH3N150

IXTH3N150 IXYS


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTH3N150-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1016.41 грн
10+626.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH3N150 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH3N150 за ціною від 598.52 грн до 1164.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH3N150 IXTH3N150 IXYS DS100286CIXTH3N150.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.95 грн
30+692.48 грн
120+598.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N150 DS100286CIXTH3N150.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1164.95 грн
30+692.48 грн
120+598.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.