Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH3N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH3N150 за ціною від 538.90 грн до 1062.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH3N150 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTH3N150 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IXTH3N150 |
MFET N-CH U=1500В I= 3 A R= 7.3 Om P=250W TO-247) задержка 19 нсек Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTH3N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Drain-source voltage: 1.5kV |
товару немає в наявності |