Продукція > IXYS > IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV

IXTH3N200P3HV IXYS

ixys_s_a0001273828_1-2272475.pdf
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2411.36 грн
10+2191.14 грн
120+1582.26 грн
270+1572.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH3N200P3HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH3N200P3HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH3N200P3HV IXTH3N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n200p3hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
IXTH3N200P3HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.