на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2506.58 грн |
| 10+ | 2277.66 грн |
| 120+ | 1644.74 грн |
| 270+ | 1634.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH3N200P3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH3N200P3HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH3N200P3HV | Виробник : Littelfuse |
 POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH3N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 3A Power dissipation: 520W Case: TO247HV On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 420ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH3N200P3HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTH3N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 3A Power dissipation: 520W Case: TO247HV On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 420ns |
товару немає в наявності |