IXTH40N50L2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2618.03 грн |
| 30+ | 1668.30 грн |
| 120+ | 1553.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH40N50L2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 40, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 540, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 540, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH40N50L2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH40N50L2 | IXYS |
MOSFETs 40 Amps 500V |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH40N50L2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 40 Amps 500V
MOSFETs 40 Amps 500V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)