IXTH460P2

IXTH460P2 Littelfuse


crete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH460P2 Littelfuse

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO247-3; 400ns, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 24A, Case: TO247-3, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.27Ω, Power dissipation: 480W, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 48nC, Reverse recovery time: 400ns, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTH460P2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH460P2 IXTH460P2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXTH460P2 IXTH460P2 Виробник : IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO247-3; 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH460P2 IXTH460P2 Виробник : IXYS DS100216B(TA-TP-TQ-TH460P2).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
товар відсутній
IXTH460P2 IXTH460P2 Виробник : IXYS media-3319469.pdf MOSFET PolarP2 Power MOSFET
товар відсутній
IXTH460P2 IXTH460P2 Виробник : IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO247-3; 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній