на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 463.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH48N65X2 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 48, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 660, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 660, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH48N65X2 за ціною від 382.90 грн до 855.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH48N65X2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH48N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH48N65X2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH48N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTH48N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTH48N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTH48N65X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 48 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 660 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 660 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
товару немає в наявності |