IXTH48N65X2 Littelfuse


e-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixth48n65x2-datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+855.43 грн
30+581.39 грн
120+527.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH48N65X2 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 660W, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції IXTH48N65X2 за ціною від 423.31 грн до 1162.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.71 грн
30+527.35 грн
60+485.90 грн
120+423.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: X2-Class
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1000.86 грн
2+552.65 грн
5+521.75 грн
120+510.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 302 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1010.51 грн
10+552.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1162.41 грн
17+915.75 грн
30+771.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 660W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+908.71 грн
30+527.35 грн
60+485.90 грн
120+423.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: X2-Class
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1000.86 грн
2+552.65 грн
5+521.75 грн
120+510.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 302 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1010.51 грн
10+552.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1162.41 грн
17+915.75 грн
30+771.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 LFSI-S-A0007907325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH48N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 660W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.