Інші пропозиції IXTH48P20P транзистор за ціною від 518.21 грн до 1466.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH48P20P | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -200V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Reverse recovery time: 260ns Power dissipation: 462W Gate charge: 103nC Polarisation: unipolar Technology: PolarP™ Drain current: -48A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTH48P20P | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTH48P20P | IXYS |
MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds |
на замовлення 436 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTH48P20P | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTH48P20P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTH48P20P | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 462W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -48A
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Power dissipation: 462W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -48A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1084.04 грн |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1186.21 грн |
| 30+ | 698.65 грн |
| 60+ | 645.84 грн |
| 120+ | 564.43 грн |
| 510+ | 518.21 грн |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
на замовлення 436 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1199.48 грн |
| 10+ | 669.01 грн |
| 120+ | 576.42 грн |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1222.82 грн |
| 25+ | 1166.37 грн |
| 50+ | 1119.44 грн |
| 100+ | 1041.40 грн |
| 250+ | 934.35 грн |
| 500+ | 872.40 грн |
| 1000+ | 851.22 грн |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1466.56 грн |
| 13+ | 1185.56 грн |
| 15+ | 1023.00 грн |
| 30+ | 912.56 грн |
| IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: LITTELFUSE - IXTH48P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 48 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







