Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTH48P20P транзистор

IXTH48P20P транзистор

Код товару: 202095
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTH48P20P транзистор за ціною від 461.09 грн до 1055.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+846.26 грн
5+654.15 грн
10+575.31 грн
30+556.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=D6490986-9633-4C32-87E4-8A3F926553B9 Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.80 грн
30+621.62 грн
120+535.14 грн
510+461.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_48P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+846.26 грн
5+654.15 грн
10+575.31 грн
30+556.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-48P20P-Datasheet.PDF?assetguid=D6490986-9633-4C32-87E4-8A3F926553B9
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1055.80 грн
30+621.62 грн
120+535.14 грн
510+461.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48P20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_48P20P_Datasheet.PDF
IXTH48P20P
Виробник: IXYS
MOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.