на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.58 грн |
| 10+ | 598.99 грн |
| 30+ | 397.27 грн |
| 120+ | 384.03 грн |
| 510+ | 380.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH4N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH4N150
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH4N150 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH4N150 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH4N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH4N150 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTH4N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns |
товару немає в наявності |