
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 760.41 грн |
10+ | 604.42 грн |
30+ | 400.87 грн |
120+ | 387.50 грн |
510+ | 383.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH4N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH4N150
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH4N150 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTH4N150 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IXTH4N150 | Виробник : IXYS | IXTH4N150 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXTH4N150 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |