IXTH50N20
Виробник:
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH50N20
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTH50N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH50N20 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH50N20 | Виробник : IXYS |
 MOSFETs 50 Amps 200V 0.045 Rds |
товару немає в наявності |