| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 714.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH50P10 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.
Інші пропозиції IXTH50P10 за ціною від 424.48 грн до 1273.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH50P10 | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH50P10 | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH50P10 | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH50P10 | IXYS |
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds |
на замовлення 279 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH50P10 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH50P10 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 300W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTH50P10 | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTH50P10 | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 748.91 грн |
| 25+ | 716.73 грн |
| 50+ | 689.43 грн |
| 100+ | 642.24 грн |
| 250+ | 576.63 грн |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 986.56 грн |
| 2+ | 603.65 грн |
| 5+ | 570.54 грн |
| 120+ | 560.35 грн |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 999.02 грн |
| 30+ | 583.43 грн |
| 60+ | 538.41 грн |
| 120+ | 469.74 грн |
| 510+ | 424.48 грн |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
на замовлення 279 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1082.27 грн |
| 10+ | 606.51 грн |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 1273.18 грн |
| 14+ | 1064.15 грн |
| 30+ | 941.87 грн |
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








