IXTH50P10 Littelfuse


media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+690.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH50P10 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH50P10 за ціною від 413.83 грн до 974.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH50P10 IXTH50P10 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+723.14 грн
25+692.07 грн
50+665.71 грн
100+620.15 грн
250+556.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS DS98905EIXTHT50P10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.06 грн
30+568.78 грн
120+487.98 грн
510+413.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_50P10_Datasheet.PDF MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 LITTELFUSE LFSI-S-A0007907378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+723.14 грн
25+692.07 грн
50+665.71 грн
100+620.15 грн
250+556.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 DS98905EIXTHT50P10.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+974.06 грн
30+568.78 грн
120+487.98 грн
510+413.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_50P10_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 LFSI-S-A0007907378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.