Продукція > LITTELFUSE > IXTH50P10
IXTH50P10

IXTH50P10 Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+551.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH50P10 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH50P10 за ціною від 410.71 грн до 973.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.49 грн
30+429.85 грн
120+410.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+622.32 грн
25+595.58 грн
50+572.89 грн
100+533.68 грн
250+479.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907378-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH50P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+809.16 грн
5+727.76 грн
10+646.35 грн
50+568.44 грн
100+495.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.60 грн
2+537.44 грн
5+507.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : IXYS media-3323577.pdf MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+841.53 грн
10+684.30 грн
30+536.99 грн
120+476.03 грн
270+451.36 грн
510+444.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.92 грн
2+669.74 грн
5+609.56 грн
510+599.58 грн
1020+585.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_50p10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.