IXTH52P10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 519 грн |
| 3+ | 328.24 грн |
| 7+ | 310.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH52P10P IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH52P10P за ціною від 328.47 грн до 622.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH52P10P") |
IXTH52P10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH52P10P | Виробник : IXYS |
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH52P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTH52P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |