Продукція > IXYS > IXTH52P10P

IXTH52P10P IXYS


IXT_52P10P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarP™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+672.47 грн
3+387.81 грн
7+366.45 грн
60+359.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH52P10P IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH52P10P за ціною від 299.65 грн до 994.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.08 грн
30+431.45 грн
60+396.28 грн
120+344.14 грн
510+299.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt52p10pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+994.65 грн
19+755.39 грн
30+615.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_52P10P_Datasheet.PDF MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+754.08 грн
30+431.45 грн
60+396.28 грн
120+344.14 грн
510+299.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P littelfusediscretemosfetspchannelixt52p10pdatasheet.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+994.65 грн
19+755.39 грн
30+615.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_52P10P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.