IXTH52P10P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 627.84 грн |
| 30+ | 355.98 грн |
| 120+ | 301.34 грн |
| 510+ | 256.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH52P10P IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTH52P10P за ціною від 353.24 грн до 795.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH52P10P | IXYS |
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTH52P10P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 795.78 грн |
| 10+ | 554.45 грн |
| 120+ | 353.24 грн |