Продукція > IXYS > IXTH52P10P
IXTH52P10P

IXTH52P10P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.58 грн
3+376.37 грн
7+355.63 грн
120+345.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH52P10P IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH52P10P за ціною від 270.64 грн до 754.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH52P10P IXTH52P10P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.27 грн
30+376.07 грн
120+318.35 грн
510+270.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_52P10P_Datasheet.PDF MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.60 грн
10+434.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.30 грн
3+469.01 грн
7+426.76 грн
120+414.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.