.jpg "IXTH60N20L2")
IXTH60N20L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1294.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH60N20L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH60N20L2 за ціною від 807.14 грн до 1406.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH60N20L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH60N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH60N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO247-3 Drain current: 60A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 330ns Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH60N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO247-3 Drain current: 60A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 255nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 330ns Drain-source voltage: 200V |
товар відсутній |