IXTH60N20X4 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 729.5 грн |
| 30+ | 568.82 грн |
| 120+ | 535.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH60N20X4 IXYS
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH60N20X4 за ціною від 455.75 грн до 792.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH60N20X4 | Виробник : IXYS |
MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IXTH60N20X4 | Виробник : Littelfuse |
Discrete MOSFET 60A 200V X4 TO247 |
товар відсутній |