.jpg "IXTH62N65X2")
IXTH62N65X2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 707.73 грн |
| 30+ | 551.59 грн |
| 120+ | 519.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH62N65X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Інші пропозиції IXTH62N65X2 за ціною від 478.01 грн до 768.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH62N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH62N65X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH62N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IXTH62N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTH62N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 445ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTH62N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 445ns |
товар відсутній |