IXTH64N10L2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH64N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 646.20 грн |
| 5+ | 581.00 грн |
| 10+ | 515.80 грн |
| 50+ | 453.67 грн |
| 100+ | 395.43 грн |
| 250+ | 387.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH64N10L2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH64N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH64N10L2 за ціною від 353.13 грн до 707.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH64N10L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH64N10L2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 100V 64A N-CH LINEAR |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXTH64N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| IXTH64N10L2 | Виробник : IXYS |
IXTH64N10L2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |