Продукція > IXYS > IXTH64N65X
IXTH64N65X

IXTH64N65X IXYS


media-3319323.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1040.3 грн
10+ 903.67 грн
30+ 721.87 грн
60+ 721.21 грн
120+ 697.9 грн
270+ 627.31 грн
510+ 607.33 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH64N65X IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 64A, Power dissipation: 890W, Case: TO247-3, On-state resistance: 51mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 450ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTH64N65X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : IXYS IXTH64N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth64n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247
товар відсутній
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : IXYS IXTH64N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
товар відсутній