
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1145.29 грн |
10+ | 995.24 грн |
30+ | 841.74 грн |
60+ | 794.38 грн |
120+ | 747.74 грн |
270+ | 724.06 грн |
510+ | 677.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH64N65X IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 64A, Power dissipation: 890W, Case: TO247-3, On-state resistance: 51mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 450ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTH64N65X
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH64N65X | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTH64N65X | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTH64N65X | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTH64N65X | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns |
товару немає в наявності |