Продукція > IXYS > IXTH64N65X
IXTH64N65X

IXTH64N65X IXYS


media-3319323.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1145.29 грн
10+995.24 грн
30+841.74 грн
60+794.38 грн
120+747.74 грн
270+724.06 грн
510+677.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH64N65X IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 64A, Power dissipation: 890W, Case: TO247-3, On-state resistance: 51mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 450ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTH64N65X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : IXYS IXTH64N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth64n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH64N65X IXTH64N65X Виробник : IXYS IXTH64N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.