на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1253.60 грн |
| 10+ | 956.13 грн |
| 120+ | 718.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH64N65X IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 64A, Power dissipation: 890W, Case: TO247-3, On-state resistance: 51mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 450ns, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class.
Інші пропозиції IXTH64N65X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH64N65X | Виробник : Littelfuse |
 Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|
.jpg "IXTH64N65X") |
IXTH64N65X | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTH64N65X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 450ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
товару немає в наявності |