IXTH68P20T LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1359.46 грн |
| 5+ | 1230.02 грн |
| 10+ | 1100.59 грн |
| 50+ | 991.74 грн |
| 100+ | 887.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH68P20T LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH68P20T за ціною від 833.79 грн до 1530.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH68P20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH68P20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFET |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTH68P20T | Виробник : IXYS |
IXTH68P20T THT P channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|