IXTH68P20T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1081.69 грн |
| 2+ | 863.99 грн |
| 3+ | 816.39 грн |
| 30+ | 795.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH68P20T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH68P20T за ціною від 875.13 грн до 1606.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTH68P20T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: TrenchP™ Kind of package: tube Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -68A Gate charge: 380nC Reverse recovery time: 245ns On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 568W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH68P20T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH68P20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH68P20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFET |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|