IXTH68P20T IXYS

Name: IXTH68P20T
Brand: IXYS
SKU: 79394357-3
Price: 1282.22 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V

на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1282.22 грн
30+	772.82 грн
120+	688.84 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTH68P20T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH68P20T

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IXTH68P20T	IXYS	MOSFETs TrenchP Power MOSFET	на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IXTH68P20T	LITTELFUSE	Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised	на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IXTH68P20T

Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFET

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IXTH68P20T

LFSI-S-A0007907474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.