IXTH6N100D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 842.23 грн |
| 30+ | 486.21 грн |
| 120+ | 414.96 грн |
| 510+ | 367.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH6N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH6N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXTH6N100D2 за ціною від 529.63 грн до 962.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH6N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 6Amps 1000V |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTH6N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH6N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTH6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |