Продукція > LITTELFUSE > IXTH6N100D2
IXTH6N100D2

IXTH6N100D2 Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+818.06 грн
60+778.64 грн
120+747.99 грн
270+688.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 30 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH6N100D2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH6N100D2 за ціною від 435.06 грн до 1024.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH6N100D2 IXTH6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1024.39 грн
30+598.08 грн
60+551.90 грн
120+481.50 грн
510+435.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N100D2 IXTH6N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N100_Datasheet.PDF MOSFETs 6Amps 1000V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b
IXTH6N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1024.39 грн
30+598.08 грн
60+551.90 грн
120+481.50 грн
510+435.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N100_Datasheet.PDF
IXTH6N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs 6Amps 1000V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.