IXTH6N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 714.23 грн |
30+ | 549.2 грн |
120+ | 491.39 грн |
510+ | 406.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH6N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH6N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTH6N100D2 за ціною від 522.74 грн до 826.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH6N100D2 | Виробник : IXYS | MOSFET 6Amps 1000V |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTH6N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH6N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTH6N100D2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||
IXTH6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO247-3; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 41ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IXTH6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO247-3; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 41ns |
товар відсутній |