Продукція > LITTELFUSE > IXTH6N100D2
IXTH6N100D2

IXTH6N100D2 Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+845.33 грн
60+804.60 грн
120+772.92 грн
270+711.23 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 30 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH6N100D2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH6N100D2 за ціною від 454.53 грн до 1069.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH6N100D2 IXTH6N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N100_Datasheet.PDF MOSFETs 6Amps 1000V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+962.02 грн
10+624.68 грн
120+505.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N100D2 IXTH6N100D2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=C49BA42B-7A18-44BB-BE04-DA2E6496F67B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N100-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.64 грн
30+624.84 грн
60+576.59 грн
120+503.05 грн
510+454.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N100_Datasheet.PDF
IXTH6N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs 6Amps 1000V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+962.02 грн
10+624.68 грн
120+505.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N100D2 media?resourcetype=datasheets&itemid=C49BA42B-7A18-44BB-BE04-DA2E6496F67B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N100-Datasheet.PDF
IXTH6N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1069.64 грн
30+624.84 грн
60+576.59 грн
120+503.05 грн
510+454.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.