IXTH6N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 917.20 грн |
| 30+ | 534.20 грн |
| 120+ | 457.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH6N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH6N100D2 | IXYS |
MOSFETs 6Amps 1000V |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH6N100D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 6Amps 1000V
MOSFETs 6Amps 1000V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)