на замовлення 248 шт:
термін постачання 1345-1354 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 918.34 грн |
| 10+ | 904.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH6N120 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 6A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 56nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 850ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTH6N120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH6N120 Код товару: 151533 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
IXTH6N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXTH6N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
|
|
IXTH6N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXTH6N120 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXTH6N120") |
IXTH6N120 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTH6N120 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3; 850ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 850ns |
товар відсутній |