 
IXTH6N50D2 IXYS
 Виробник: IXYS
                                                Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 642.51 грн | 
| 3+ | 380.25 грн | 
| 7+ | 359.56 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: To Be Advised. 
Інші пропозиції IXTH6N50D2 за ціною від 428.60 грн до 915.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IXTH6N50D2 | Виробник : IXYS |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 215 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IXTH6N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |  Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | на замовлення 220 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IXTH6N50D2 | Виробник : IXYS |  MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A | на замовлення 319 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IXTH6N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |  Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 332 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 |