Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTH6N50D2
IXTH6N50D2

IXTH6N50D2 Littelfuse Inc.

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+754.11 грн
30+458.49 грн
120+402.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH6N50D2 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH6N50D2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N50_Datasheet.PDF
IXTH6N50D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 LFSI-S-A0007909444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH6N50D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.