IXTH75N10L2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1164.61 грн |
| 30+ | 696.71 грн |
| 120+ | 611.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH75N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IXTH75N10L2 за ціною від 675.10 грн до 1536.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH75N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH75N10L2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH75N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTH75N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTH75N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns |
товару немає в наявності |