на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1177.67 грн |
10+ | 1055.66 грн |
30+ | 874.57 грн |
60+ | 833.85 грн |
120+ | 785.11 грн |
510+ | 761.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH75N10L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTH75N10L2 за ціною від 832.43 грн до 1232.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH75N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH75N10L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH75N10L2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH75N10L2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTH75N10L2 | Виробник : IXYS | IXTH75N10L2 THT N channel transistors |
товар відсутній |