Продукція > IXYS > IXTH76N25T
IXTH76N25T

IXTH76N25T IXYS

IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.18 грн
3+ 331.02 грн
4+ 250.35 грн
9+ 237.14 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH76N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH76N25T за ціною від 229.66 грн до 475.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH76N25T IXTH76N25T Виробник : IXYS media-3320179.pdf MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.09 грн
10+ 383.11 грн
30+ 274.39 грн
120+ 260.37 грн
270+ 253.69 грн
510+ 244.35 грн
1020+ 229.66 грн
IXTH76N25T IXTH76N25T Виробник : IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.42 грн
3+ 412.51 грн
4+ 300.43 грн
9+ 284.57 грн
IXTH76N25T
Код товару: 188251 		DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTH76N25T IXTH76N25T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_76n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXTH76N25T IXTH76N25T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_76n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXTH76N25T IXTH76N25T Виробник : IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній