Продукція > LITTELFUSE > IXTH76P10T
IXTH76P10T

IXTH76P10T Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+401.44 грн
10+ 370.67 грн
25+ 346.45 грн
50+ 330.74 грн
100+ 284.75 грн
500+ 237.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH76P10T Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH76P10T за ціною від 255.42 грн до 591.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH76P10T IXTH76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+432.32 грн
30+ 399.18 грн
32+ 373.1 грн
50+ 356.18 грн
100+ 306.65 грн
500+ 255.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
IXTH76P10T IXTH76P10T Виробник : IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+493.3 грн
3+ 311.37 грн
7+ 294.76 грн
IXTH76P10T IXTH76P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+531.73 грн
10+ 438.96 грн
100+ 365.76 грн
500+ 302.87 грн
1000+ 272.58 грн
2000+ 255.42 грн
IXTH76P10T IXTH76P10T Виробник : IXYS media-3319760.pdf MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+561.85 грн
10+ 475.14 грн
30+ 362.02 грн
120+ 328.14 грн
270+ 317.52 грн
510+ 308.22 грн
1020+ 264.37 грн
IXTH76P10T IXTH76P10T Виробник : IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+591.96 грн
3+ 388.02 грн
7+ 353.72 грн
IXTH76P10T IXTH76P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній