Продукція > IXYS > IXTH80N075L2
IXTH80N075L2

IXTH80N075L2 IXYS

IXTA(H,P)80N075L2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+787.65 грн
5+636.58 грн
10+575.63 грн
30+486.74 грн
60+469.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH80N075L2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 357W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції IXTH80N075L2 за ціною від 324.90 грн до 1052.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.78 грн
30+464.71 грн
60+427.37 грн
120+371.58 грн
510+324.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1052.38 грн
16+900.91 грн
30+832.42 грн
120+731.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_80N075_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
IXTH80N075L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+807.78 грн
30+464.71 грн
60+427.37 грн
120+371.58 грн
510+324.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 media.pdf
IXTH80N075L2
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1052.38 грн
16+900.91 грн
30+832.42 грн
120+731.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_80N075_Datasheet.PDF
IXTH80N075L2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 LFSI-S-A0007909438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH80N075L2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.