IXTH80N075L2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 592.55 грн |
| 3+ | 428.38 грн |
| 6+ | 405.39 грн |
| 120+ | 389.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH80N075L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH80N075L2 за ціною від 348.74 грн до 711.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH80N075L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH80N075L2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 N CHAN 75V |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH80N075L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH80N075L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH80N075L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IXTH80N075L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |