на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 927.65 грн |
10+ | 852.21 грн |
30+ | 726.36 грн |
60+ | 704.33 грн |
120+ | 678.96 грн |
270+ | 670.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH80N20L IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH80N20L за ціною від 714.6 грн до 974.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH80N20L | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTH80N20L | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||
IXTH80N20L | Виробник : IXYS | IXTH80N20L THT N channel transistors |
товар відсутній |