Продукція > IXYS > IXTH88N30P
IXTH88N30P

IXTH88N30P IXYS


media-3322045.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs 88 Amps 100 V 0.04 Ohms Rds
на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.67 грн
10+699.75 грн
30+536.85 грн
60+526.42 грн
120+518.08 грн
270+487.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH88N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH88N30P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH88N30P a Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N30P IXTH88N30P Виробник : Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.