Продукція > LITTELFUSE > IXTH8P50
IXTH8P50

IXTH8P50 Littelfuse

elfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_8p50_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+474.44 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH8P50 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH8P50 за ціною від 500.94 грн до 542.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH8P50 IXTH8P50 Littelfuse elfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_8p50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+542.62 грн
100+500.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 IXTH8P50 IXYS media-3321445.pdf MOSFETs -8 Amps -500V 1.2 Rds
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 IXTH8P50 LITTELFUSE LFSI-S-A0007907336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 elfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_8p50_datasheet.pdf.pdf
IXTH8P50
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+542.62 грн
100+500.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 media-3321445.pdf
IXTH8P50
Виробник: IXYS
MOSFETs -8 Amps -500V 1.2 Rds
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 LFSI-S-A0007907336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH8P50
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH8P50 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 8 A, 1.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.