Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH90P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 462W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH90P10P за ціною від 448.35 грн до 1101.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH90P10P | Виробник : IXYS |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3 Case: TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Reverse recovery time: 144ns Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 25mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 462W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 462W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH90P10P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |