IXTH90P10P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 836.46 грн |
| 5+ | 645.59 грн |
| 10+ | 572.09 грн |
| 30+ | 511.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH90P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 462W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH90P10P за ціною від 446.17 грн до 1187.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 462W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 462W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH90P10P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTH90P10P |
P-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |