.jpg "IXTH90P10P")
IXTH90P10P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 747.45 грн |
| 30+ | 582.79 грн |
| 120+ | 548.51 грн |
| 510+ | 466.5 грн |
| 1020+ | 427.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH90P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 462W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IXTH90P10P за ціною від 480.68 грн до 811.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH90P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 462W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : IXYS |
MOSFET -90.0 Amps -100V 25 mOhms |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH90P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Power dissipation: 462W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 144ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH90P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Power dissipation: 462W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 144ns |
товар відсутній |