Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTH90P10P
IXTH90P10P

IXTH90P10P Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90p10p-datasheet?assetguid=611756b4-09a2-467d-8210-fa4410afc035
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+893.91 грн
30+572.12 грн
120+490.56 грн
510+443.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH90P10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 462W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH90P10P за ціною від 529.33 грн до 929.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_90P10P_Datasheet.PDF MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+903.66 грн
10+571.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS IXT_90P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+929.79 грн
5+736.24 грн
10+665.60 грн
30+570.04 грн
60+529.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_90P10P_Datasheet.PDF
IXTH90P10P
Виробник: IXYS
MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+903.66 грн
10+571.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXT_90P10P.pdf
IXTH90P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Reverse recovery time: 144ns
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 25mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+929.79 грн
5+736.24 грн
10+665.60 грн
30+570.04 грн
60+529.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.