Продукція > LITTELFUSE > IXTH90P10P
IXTH90P10P

IXTH90P10P Littelfuse

littelfusediscretemosfetspchannelixt90p10pdatasheet.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.52 грн
10+758.42 грн
25+707.33 грн
100+625.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH90P10P Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 462W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH90P10P за ціною від 468.66 грн до 1035.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.84 грн
2+532.16 грн
5+502.95 грн
120+483.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90p10p-datasheet?assetguid=611756b4-09a2-467d-8210-fa4410afc035 Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+943.74 грн
30+604.01 грн
120+517.90 грн
510+468.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH90P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.83 грн
5+800.13 грн
10+639.42 грн
50+567.69 грн
100+499.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : IXYS media-3320926.pdf MOSFETs -90.0 Amps -100V 25 mOhms
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+991.31 грн
10+679.03 грн
120+542.71 грн
1020+510.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1003.01 грн
2+663.16 грн
5+603.54 грн
120+579.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1035.81 грн
13+944.02 грн
30+823.89 грн
120+781.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P Виробник : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt90p10pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.