Продукція > IXYS > IXTH96N20P
IXTH96N20P

IXTH96N20P IXYS


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-96N20P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.56 грн
10+508.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH96N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH96N20P за ціною від 419.81 грн до 716.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH96N20P IXTH96N20P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e Description: MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.62 грн
30+474.94 грн
120+419.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.