IXTH96P085T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 538.01 грн |
3+ | 340.43 грн |
7+ | 321.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH96P085T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH96P085T - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTH96P085T за ціною від 318.18 грн до 645.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH96P085T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH96P085T | Виробник : IXYS | MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH96P085T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH96P085T - MOSFET, P-CH, 85V, 96A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH96P085T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH96P085T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -85V Drain current: -96A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 55ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH96P085T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTH96P085T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V |
товар відсутній |