на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 897.47 грн |
| 10+ | 727.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTJ4N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISO247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTJ4N150 за ціною від 511.20 грн до 900.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTJ4N150 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISO247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTJ4N150 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 ISO |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IXTJ4N150 | Виробник : IXYS | IXTJ4N150 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |