
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1159.56 грн |
10+ | 1058.39 грн |
30+ | 815.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTJ6N150 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: ISO247™, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.85Ω, Mounting: THT, Gate charge: 67nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 1.5µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTJ6N150
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTJ6N150 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.85Ω Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.85Ω Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1.5µs |
товару немає в наявності |