на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1206.54 грн |
| 10+ | 1101.27 грн |
| 30+ | 848.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTJ6N150 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: ISO247™, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.85Ω, Mounting: THT, Gate charge: 67nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 1.5µs.
Інші пропозиції IXTJ6N150
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTJ6N150 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 ISO |
товару немає в наявності |
|
| IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.85Ω Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1.5µs |
товару немає в наявності |