Продукція > IXYS > IXTJ6N150
IXTJ6N150

IXTJ6N150 IXYS


media-3321428.pdf Виробник: IXYS
MOSFET High Voltage Power MOSFET
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1159.56 грн
10+1058.39 грн
30+815.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTJ6N150 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: ISO247™, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.85Ω, Mounting: THT, Gate charge: 67nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 1.5µs, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTJ6N150

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTJ6N150 IXTJ6N150 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 ISO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150 IXTJ6N150 Виробник : IXYS IXTJ6N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150 Виробник : IXYS DS100448A(IXTJ6N150).pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150 IXTJ6N150 Виробник : IXYS IXTJ6N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.