на замовлення 30 шт:
термін постачання 515-524 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1229.09 грн |
| 10+ | 1112.74 грн |
| 30+ | 927.65 грн |
| 120+ | 817.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTJ6N150 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, On-state resistance: 3.85Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 67nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: ISO247™, Reverse recovery time: 1.5µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTJ6N150
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A On-state resistance: 3.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: ISO247™ Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 |
товар відсутній |
||
|
|
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A On-state resistance: 3.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: ISO247™ Reverse recovery time: 1.5µs |
товар відсутній |