Продукція > IXYS > IXTK100N25P
IXTK100N25P

IXTK100N25P IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=A81F4223-C5D3-44C0-A60C-AE41A30745EF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-100N25P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1269.82 грн
25+770.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK100N25P IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK100N25P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK100N25P IXTQ100N25P.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_100N25P_Datasheet.PDF MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS IXTK100N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
On-state resistance: 27mΩ
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P Littelfuse iscrete-mosfets-n-channel-standard-ixt-100n25p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTQ100N25P.pdf
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_100N25P_Datasheet.PDF
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P IXTK100N25P-DTE.pdf
IXTK100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
On-state resistance: 27mΩ
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25P iscrete-mosfets-n-channel-standard-ixt-100n25p-datasheet.pdf
IXTK100N25P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.