IXTK100N25P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 836.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK100N25P IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK100N25P за ціною від 540.38 грн до 1038.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK100N25P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 100A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 600W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: PolarHT™ |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTK100N25P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 100A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 600W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTK100N25P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXTK100N25P | Виробник : IXYS |
MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds |
товар відсутній |