Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK102N30P
IXTK102N30P

IXTK102N30P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1038.20 грн
25+659.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK102N30P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK102N30P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK102N30P IXYS/Littelfuse IXTK102N30P.pdf N-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P.PDF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK102N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P IXYS IXTK102N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P.PDF
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK102N30P_Datasheet.PDF
IXTK102N30P
Виробник: IXYS
MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P IXTK102N30P-DTE.pdf
IXTK102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30P media.pdf
IXTK102N30P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.