Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK120N25P
IXTK120N25P

IXTK120N25P Littelfuse Inc.

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1114.32 грн
25+706.48 грн
100+668.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK120N25P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK120N25P за ціною від 704.71 грн до 1816.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1229.52 грн
5+979.19 грн
10+887.16 грн
25+796.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30 Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.87 грн
25+814.35 грн
100+704.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtk120n25pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1816.40 грн
10+1465.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK120N25P_Datasheet.PDF MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P-DTE.pdf
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1229.52 грн
5+979.19 грн
10+887.16 грн
25+796.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1325.87 грн
25+814.35 грн
100+704.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtk120n25pdatasheet.pdf
IXTK120N25P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1816.40 грн
10+1465.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK120N25P_Datasheet.PDF
IXTK120N25P
Виробник: IXYS
MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.