Продукція > IXYS > IXTK120N25P
IXTK120N25P

IXTK120N25P IXYS

IXTK120N25P-DTE.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1003.55 грн
2+810.02 грн
4+766.34 грн
100+757.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK120N25P IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK120N25P за ціною від 785.71 грн до 1365.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK120N25P IXTK120N25P Виробник : IXYS IXTK120N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1204.25 грн
2+1009.40 грн
4+919.60 грн
100+908.57 грн
250+883.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P Виробник : IXYS media-3323692.pdf MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.08 грн
10+1119.30 грн
25+826.91 грн
100+800.42 грн
250+785.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1365.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P Виробник : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelstandardixtk120n25pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtk120n25p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25P IXTK120N25P Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK120N25P-Datasheet.PDF?assetguid=EAA52095-EEBE-4AEB-9ABA-160258F95F30 Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.