IXTK120N25P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1097.73 грн |
| 2+ | 835.35 грн |
| 4+ | 789.56 грн |
| 25+ | 783.24 грн |
| 50+ | 758.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK120N25P IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK120N25P за ціною від 809.52 грн до 1358.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK120N25P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTK120N25P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Technology: Polar™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 24mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 700W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTK120N25P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTK120N25P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTK120N25P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTK120N25P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |