IXTK120N65X2 IXYS

Name: IXTK120N65X2
Brand: IXYS
SKU: 77513968-3
Price: 1986.86 UAH
Availability: InStock

littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1986.86 грн
25+	1261.66 грн
100+	1107.28 грн
500+	1037.50 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTK120N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.25kW, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-264P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm.

Інші пропозиції IXTK120N65X2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IXTK120N65X2	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 1.25kW SVHC: Lead (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-264P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm	на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IXTK120N65X2	IXYS	MOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS	на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IXTK120N65X2

LFSI-S-A0007925039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IXTK120N65X2

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_120N65X2_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.